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DDR4是主流DRAM技術(shù)，其新功能集中在節(jié)能，性能增強(qiáng)，可制造性和可靠性方面。這些新功能提高了企業(yè)，云，超薄，平板電腦，汽車和嵌入式市場(chǎng)的性能，功耗，可制造性，可靠性和堆疊能力。DDR4 SDRAM 8Gb x32器件提供了介于普通DDR4和HBM wide I/O之間俺的一個(gè)內(nèi)存覆蓋，是高帶寬、小容量、小PCB尺寸的的內(nèi)存解決方案。

1. 小容量、高帶寬內(nèi)存，比如1Gb/2Gb LPDDR4/DDR4

2. 超級(jí)wide I/O內(nèi)存，提供比HBM/HMC更高帶寬的內(nèi)存

3. 多通道DRAM/SRAM-CAM w/TSW, 面向AI和高速數(shù)據(jù)通信

Capacity	Organization	Part Number	Voltage	Package	Speed	Temperature	PDF下載
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFC-24D0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-2400 CL17-17-17	0℃ to +95 ℃	暫無
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFC-29H0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-2933 CL21-21-21	0℃ to +95 ℃	暫無
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFC-26F0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-2666 CL19-19-19	0℃ to +95 ℃	暫無
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFC-32J0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-3200 CL22-22-22	0℃ to +95 ℃	暫無
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFI-24D0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-2400 CL17-17-17	-40℃ to +95℃	暫無
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFI-29H0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-2933 CL21-21-21	-40℃ to +95℃	暫無
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFI-26F0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-2666 CL19-19-19	-40℃ to +95℃	暫無
8Gb	256Mx32	UD408G5S1AFI-32J0	1.14V – 1.26V	144-ball FCBGA	DDR4-3200 CL22-22-22	-40℃ to +95℃	暫無

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