MRAM走到轉(zhuǎn)折點，存儲產(chǎn)業(yè)變革即將到來？
2018-01-15 14:35:44
據(jù)報道，磁性隨機存取內(nèi)存(MRAM)將在本年達到一個新的轉(zhuǎn)折點。Everspin宣布開始嘗試打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，同時他們已經(jīng)將這款壽命長、非易失性的內(nèi)存芯片生產(chǎn)提上議程。 Everspin的ST-MRAM能夠提供長期的記憶能力，與普通的NAND閃存技術相比，ST-MRAM能夠減少寫入放大倍數(shù)并擁有更好的耐用性。
ST-MRAM新芯片采用的是一個兼容DDR4的接口。Everspin表示，供應商可以憑借持久的記憶技術設計企業(yè)級SSD或?qū)ΜF(xiàn)有的儲存產(chǎn)品進行改善。
據(jù)了解，ST-MARAM的密度要比Everspin旗下現(xiàn)有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin表示，從Global Foundries的40nm工藝到foundry 28nm工藝的轉(zhuǎn)變是開發(fā)這種千兆級芯片的關鍵點，此外它還展示了公司垂直磁性隧道結(jié)(pMTJ)的可擴展性。
首批配備Everspin全新千兆MRAM芯片的產(chǎn)品之一將來自Smart Modular公司。該公司計劃發(fā)布一款NVMe PCIe硬盤，它的重量和長度都將減半，其將用于元數(shù)據(jù)緩存和儲存加速應用。Smart Modular表示，該產(chǎn)品單元在4K隨機讀寫測試中能夠達到1500K IOPS。
早在20多年前，由于MRAM具有不易揮發(fā)的特性，被視為取代NAND閃存的潛在高性能產(chǎn)品。不過，從產(chǎn)品容量的角度來說，該技術暫時還無法進入市場參與競爭。
MRAM與快閃記憶體不同，它是使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結(jié)合記錄方式，在性能上MRAM有與SRAM不分上下的高速讀寫能力，以及具備Flash不揮發(fā)性的特性，在Cell面積上也和DRAM比例相近，而重復讀寫次數(shù)和DRAM、SRAM相同，操作電壓也相似，可以說是集各種記憶體優(yōu)點于一體的產(chǎn)品。它的主要競爭對手是快閃記憶體，目前一些公司東芝、如三星、Intel正在不斷開發(fā)更快更高容量的閃存式存儲裝置。
MRAM的主要優(yōu)勢在于其性能以及低功耗。在不久的將來，內(nèi)存技術有望超越閃存甚至是DRAM，達到SRAM的水平。只要獲得與閃存和DRAM相同的投資力度以及存在同樣大的市場需求，MRAM也有望成為未來主流內(nèi)存產(chǎn)品。
本文關鍵詞：
MRAM SRAM
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